分子基磁體作為一類廣闊的、正在興起的
磁性材料擴展了和磁體有關的材料的特征，包括：低密度、透明性、電絕緣性、能低溫合成以及可以用其它因素控制其磁有序程度(如光敏性)。其中，由兩種磁性原子反鐵磁規(guī)則地交替排列而形成的亞
鐵磁材料由于其存在補償溫度更是人們關注的焦點。補償溫度即為低于臨界溫度總磁矩消失的溫度。補償溫度在磁光記錄領域具有重要的應用。本文將討論兩類典型分子基磁體——AFeⅡFeⅢ(C2O4)3(A=N(n-CnH2n+1)4，n=3-5)和V(TCNE)x.y——的磁性質。理論上，混自旋Ising模型為分子基磁體展現(xiàn)亞鐵磁有序和存在補償溫度提供了一個簡單模型。在Ising模型中，自旋是個標量。但眾所周知，自旋是產生磁性的重要原因，它們是遵從量子力學行為的力學量，當磁性離子間存在反鐵磁耦合時，量子效應就非常重要了，系統(tǒng)的磁性行為要受到自旋量子漲落的影響。在考慮自旋量子效應的影響時就必須采用海森堡模型。雙時格林函數(shù)方法是在全溫區(qū)內給出系統(tǒng)熱力學性質合理結果的標準方法。 本文將利用雙時格林函數(shù)方法研究上述兩類分子基
磁性材料的磁性質。我們將給出應用雙時格林函數(shù)方法研究亞鐵磁海森堡模型的理論體系和研究方法。重點討論亞鐵磁系統(tǒng)的格林函數(shù)理論，最近鄰耦合(層內耦合和層間耦合)、次近鄰耦合、磁晶各向異性和外場對系統(tǒng)磁矩、補償溫度和轉變溫度的影響。并與Ising系統(tǒng)的結果加以對比討論。 本文的研究工作主要包括三方面的內容：一是利用線性自旋波理論研究了AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基
磁性材料的低溫磁性質；二是應用雙時格林函數(shù)技術研究了AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基
磁性材料在全溫區(qū)的磁性質；三是應用雙時格林函數(shù)技術研究了V(TCNE)x.y類分子基磁性材料在全溫區(qū)的磁性質。 一、AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基磁性材料的低溫磁性質 本文應用線性自旋波理論研究了AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基磁性材料的低溫磁性質。這類分子基磁體可用具有層間耦合的蜂窩狀晶格混自旋2和5/2的亞鐵磁海森堡模型來描寫。給出了系統(tǒng)的能譜、內能、比熱、基態(tài)和低溫磁矩。研究結果表明：系統(tǒng)的自旋波譜存在兩個分支。在無單離子各向異性時，這兩支能譜分別為聲頻支和光頻支；在存在單離子各向異性時，兩支頻譜皆為光頻支，兩支頻譜間形成一個能隙，且其中一支始終為負能譜。子晶格基態(tài)磁矩存在零點量子漲落，即在零溫下，系統(tǒng)子晶格磁矩小于其自旋量子數(shù)，這是系統(tǒng)內存在反鐵磁耦合作用的效果。子晶格內存在的鐵磁性層間耦合和磁晶各向異性作用具有增加系統(tǒng)長程序，增強系統(tǒng)磁矩穩(wěn)定性的作用，而熱力學漲落則破壞系統(tǒng)的長程序，系統(tǒng)的磁性行為就是這幾種作用競爭的結果。系統(tǒng)子晶格磁矩隨溫度升高而減小，而系統(tǒng)平均每格點比熱和內能則隨溫度升高而升高；隨著D1/J1和J2/J1的升高，子晶格磁矩增大，而比熱和內能則減小。 二、AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基磁性材料的全溫區(qū)磁性質 本文應用雙時自旋格林函數(shù)理論研究了AFeⅡFeⅢ(C2O4)3類分子基磁性材料的全溫區(qū)磁性質。給出了應用雙時格林函數(shù)技術研究亞鐵磁海森堡模型的理論體系和研究方法。導出了系統(tǒng)的能譜、基態(tài)磁矩、有限溫度磁矩、有場磁矩、轉變溫度、補償溫度和初始磁化率的公式。研究結果表明：層間耦合作用、磁晶各向異性和外場對系統(tǒng)的能譜、磁矩、補償溫度和轉變溫度有重要的影響。子晶格中的鐵磁性層間耦合和磁晶各向異性都起到了增加其長程序，增強其子晶格磁矩穩(wěn)定性的作用；熱力學漲落削弱了系統(tǒng)的磁有序，起到了破壞系統(tǒng)子晶格磁矩的穩(wěn)定性的作用；縱向外場起到了在縱向穩(wěn)定系統(tǒng)磁矩的作用。系統(tǒng)的磁矩就是這幾種作用之間竟爭、聯(lián)合作用的效果。只有當自旋量子數(shù)較小的子晶格A的鐵磁性層間耦合和磁晶各向異性較大時，才能使子晶格A的磁矩衰減的程度慢于自旋量子數(shù)較大的子晶格B的磁矩衰減的程度，出現(xiàn)補償現(xiàn)象。隨著J1/J和D1/J的增加，系統(tǒng)的補償溫度TC降低而轉變溫度TN升高。而子晶格B的鐵磁性層間耦合和磁晶各向異性起到了穩(wěn)定其磁矩的作用，隨著J2/J和D2/J的增加，系統(tǒng)的補償溫度TC和轉變溫度TN都升高，達到一定程度時，就不會再出現(xiàn)補償現(xiàn)象，甚至會出現(xiàn)系統(tǒng)總磁矩大于兩子晶格自旋量子數(shù)差值的情況，這就是Neel所預言的P型磁矩曲線?？v向外場起到了增強系統(tǒng)在縱向磁矩的作用，隨著外場的增加，補償現(xiàn)象會消失。零溫下初始磁化率x∥等于零，隨著溫度的增加，初始磁化率先逐漸增加，達到某一溫度時，突然達到一個最大值，再減少到零，此最大值對應的溫度就是轉變溫度TN。這一溫度即為系統(tǒng)的二級相變點，系統(tǒng)由亞鐵磁相進入到順磁相。單離子各向異性作用越大，磁化率的峰值就越小，層間耦合也起到了同樣的作用。系統(tǒng)的二級相變點的溫度(即轉變溫度)隨D1/J的增大而增大。 三、V(TCNE)x.y類分子基磁性材料在全溫區(qū)的磁性質 本文應用雙時自旋格林函數(shù)理論研究了V(TCNE)x.y類分子基磁性材料在全溫區(qū)的磁性質。給出了系統(tǒng)的能譜、基態(tài)磁矩、有限溫度磁矩、有場磁矩、轉變溫度和補償溫度的公式。研究結果表明：自旋量子數(shù)較小的子晶格A內的鐵磁性次近鄰耦合J2/｜J1｜有增加其子晶格磁矩穩(wěn)定性的作用。在J1-J2-D2模型中，當J2≥J2min/｜J1｜時，系統(tǒng)產生補償現(xiàn)象，補償溫度TC并不隨J2/｜J1｜而變化，這一點與Ising模型蒙特卡羅模擬的結論相同。自旋量子數(shù)較大的子晶格B內的鐵磁性次近鄰耦合J3/｜J1｜有增加其子晶格磁矩穩(wěn)定性的作用。J3/｜J1增加，補償溫度TC和轉變溫度TN都將升高，且補償點將向相變點移動，當J3/｜J1｜≤J3max/｜J1｜時，兩點重合，補償現(xiàn)象消失。這一點與Ising模型蒙特卡羅模擬的結論不同，Ising模型蒙特卡羅模擬的結論說明，J3/｜J1｜只改變系統(tǒng)的補償溫度TC，并不改變其轉變溫度TN。子晶格B的磁晶各向異性作用D2/｜J1｜有增加其子晶格磁矩穩(wěn)定性的作用。補償溫度隨外磁場的增加而增加，直到補償點與相變點重合，只有在h/｜J1｜很小的區(qū)域，補償點才可能存在。Ising模型蒙特卡羅模擬的結論指出，有外場時，系統(tǒng)存在一級相變，而本文采用格林函數(shù)方法處理海森堡系統(tǒng)并沒有發(fā)現(xiàn)這一相變。
